| 利得結合型分布帰還半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| 山本 圭; 河西 秀典 | |
| 2009-09-18 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP4375834B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 利得結合型分布帰還半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 結晶欠陥の少ない活性層を持つ、良好な素子特性を有する利得結合型分布帰還半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 本発明による利得結合型分布帰還半導体レーザ装置は、共振器方向に周期的な利得変動を有する利得結合型分布帰還半導体レーザ装置であって、共振器方向に沿って形成された周期的な第1の凹凸形状部の上に半導体埋込層14、51、65が形成され、該半導体埋込層の内部において、該第1の凹凸形状部の凹部上に該第1の凹凸形状部と同じ周期で縦長の活性層15、52、66が設けられている。 |
| 公开日期 | 2009-12-02 |
| 申请日期 | 1999-03-16 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35286]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 圭,河西 秀典. 利得結合型分布帰還半導体レーザ装置及びその製造方法. JP4375834B2. 2009-09-18. |
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