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	オプト-エレクトロニク半導体デバイス
	ピーテル イドゥス クインデルスマ; テウニス ファン ドンヘン; ヘラルダス ランベルタス アントニウス ヘンリカス ファン デル ホフスタッド; マルセリヌス ベルナルダス マリア ケンプ
	1996-07-08
著作权人	フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
专利号	JP2538157B2
国家	日本
文献子类	授权发明
其他题名	オプト-エレクトロニク半導体デバイス
英文摘要	PURPOSE: To provide a semiconductor diode laser which can be coupled well with an optical fiber while reducing absorption of laser radiation by a monitor diode. CONSTITUTION: The semiconductor diode laser comprises a substrate 4 and a semiconductor body having a multilayer structure 5 which includes a monitor diode 2 comprising an active layer 6 for generating laser radiation, and a pn junction 7. The monitor diode 2 is isolated from the diode laser by a trench 10 extending into the substrate 4 and the semiconductor diode laser having an edge defined by the wall part of the trench 10 is located on the side for radiating a main beam toward the trench 10 and the monitor diode 2 with the active layer 6 extending over a part, preferably 20%, of the length of the monitor diode. The length of the monitor diode for absorbing the radiation beam is preferably set shorter than the absorption length of the radiation beam.
公开日期	1996-09-25
申请日期	1992-01-20
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34975]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
推荐引用方式 GB/T 7714	ピーテル イドゥス クインデルスマ,テウニス ファン ドンヘン,ヘラルダス ランベルタス アントニウス ヘンリカス ファン デル ホフスタッド,等. オプト-エレクトロニク半導体デバイス. JP2538157B2. 1996-07-08.

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