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	マルチビーム半導体レーザ装置
	瀬古 保次; 上柳 喜一; 中山 秀生; 福永 秀樹
	1998-08-28
著作权人	富士ゼロックス株式会社
专利号	JP2819593B2
国家	日本
文献子类	授权发明
其他题名	マルチビーム半導体レーザ装置
英文摘要	PURPOSE:To facilitate assemblage and prevent the output of laser beams from decreasing with the passage of time by installing radiator-side bonding pad parts connected to wiring parts on corresponding parts to bonding pad parts on a junction face with a multi-beam semiconductor laser element. CONSTITUTION:Radiator-side bonding pad parts 51-54 connected to wiring parts 61-64 are installed on corresponding parts to bonding pad parts on a junction face with the multi-beam semiconductor laser element 2 of a radiator 3. Therefore, though the independent drive electrodes of the multi-beam semiconductor laser element 2 are fine, the independent drive electrodes and the wiring parts 61-64 on the radiator 3 can be surely connected and heat energy generated in an active layer is released from the radiator 3 through the independent drive electrodes to surely prevent the active layer from heating. Thereby the output of laser beams does not decrease with the passage of time and a device can be made easily.
公开日期	1998-10-30
申请日期	1989-03-10
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34871]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	富士ゼロックス株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	瀬古 保次,上柳 喜一,中山 秀生,等. マルチビーム半導体レーザ装置. JP2819593B2. 1998-08-28.

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