| 雷射照射裝置，雷射照射方法，和結晶半導體膜的製造方法 | |
| 田中幸一郎 | |
| 2013-04-01 | |
| 著作权人 | 半導體能源研究所股份有限公司 |
| 专利号 | TWI392177B |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 雷射照射裝置，雷射照射方法，和結晶半導體膜的製造方法 |
| 英文摘要 | 本發明的目的是提供一種使用包括電流計鏡和fθ透鏡的光學系統的精簡的雷射照射裝置以及雷射照射方法，該雷射照射裝置可以抑制由因基底背面的次級射束引起的干涉影響，從而能夠對被照射物進行均勻的雷射退火，且可以提高生產量。在本發明中，當假設形成有被照射物的基底的厚度為d，折射率為n，並將真空中的光速定義為c時，該雷射光束的脈寬t滿足不等式ct < 2nd。在上述結構中，即使使用包括電流計鏡和fθ透鏡的光學系統，也可以減少因基底背面的次級射束引起的干涉影響，從而可以對被照射物執行均勻的雷射退火。 |
| 公开日期 | 2013-04-01 |
| 申请日期 | 2004-12-20 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33919]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 半導體能源研究所股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中幸一郎. 雷射照射裝置，雷射照射方法，和結晶半導體膜的製造方法. TWI392177B. 2013-04-01. |
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