雷射照射裝置,雷射照射方法,和結晶半導體膜的製造方法 | |
田中幸一郎 | |
2013-04-01 | |
著作权人 | 半導體能源研究所股份有限公司 |
专利号 | TWI392177B |
国家 | 中国台湾 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 雷射照射裝置,雷射照射方法,和結晶半導體膜的製造方法 |
英文摘要 | 本發明的目的是提供一種使用包括電流計鏡和fθ透鏡的光學系統的精簡的雷射照射裝置以及雷射照射方法,該雷射照射裝置可以抑制由因基底背面的次級射束引起的干涉影響,從而能夠對被照射物進行均勻的雷射退火,且可以提高生產量。在本發明中,當假設形成有被照射物的基底的厚度為d,折射率為n,並將真空中的光速定義為c時,該雷射光束的脈寬t滿足不等式ct < 2nd。在上述結構中,即使使用包括電流計鏡和fθ透鏡的光學系統,也可以減少因基底背面的次級射束引起的干涉影響,從而可以對被照射物執行均勻的雷射退火。 |
公开日期 | 2013-04-01 |
申请日期 | 2004-12-20 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33919] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 半導體能源研究所股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中幸一郎. 雷射照射裝置,雷射照射方法,和結晶半導體膜的製造方法. TWI392177B. 2013-04-01. |
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