| 一种超辐射发光二极管 | |
| 刘占元; 陈硕; 王爱民; 古丽娟 | |
| 2015-12-30 | |
| 著作权人 | 国网智能电网研究院 |
| 专利号 | CN204927805U |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种超辐射发光二极管 |
| 英文摘要 | 本实用新型提供一种超辐射发光二极管，包括壳体、壳体顶部的壳体盖和壳体内的半导体制冷器、热沉、透镜光纤、超辐射发光管芯、热敏电阻和探测器，所述热沉为置于所述半导体制冷器上的密封腔体，所述透镜光纤、所述超辐射发光管芯、所述热敏电阻和所述探测器均置于所述密封腔体内。本实用新型提供的超辐射发光二极管可降低热敏电阻和超辐射发光管芯受外界环境的影响，从而提高超辐射发光二极管的输出光谱稳定性。 |
| 公开日期 | 2015-12-30 |
| 申请日期 | 2015-09-11 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32425]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 国网智能电网研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘占元,陈硕,王爱民,等. 一种超辐射发光二极管. CN204927805U. 2015-12-30. |
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