基于双电吸收调制激光器实现单边带调制的系统 | |
王文亭; 刘建国; 孙文惠; 李伟; 祝宁华 | |
2017-07-18 | |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
专利号 | CN105007124B |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 基于双电吸收调制激光器实现单边带调制的系统 |
英文摘要 | 本发明公开了一种基于双电吸收调制激光器实现单边带调制的系统,包括直接调制激光器、电吸收调制器、待测器件、光电探测器、矢量网络分析仪、宽带电功分器、可调电衰减器和电延迟线,直接调制激光器与电吸收调制器单片集成在一起,利用双电吸收调制激光器进行强度调制和相位调制从而实现单边带调制,使得单边带调制光信号的最低带宽没有受到限制;利用单边带调制光信号测试高Q无源光子器件的幅度和相位响应。本发明提供的基于双电吸收调制激光器实现单边带调制的系统,结构简单、能够高灵敏度的测试高Q值光滤波器以及其他无源光子器件的幅度和相位响应。激光器和调制器采用单片集成的方式,故整个系统的成本更低、更加小型化以及稳定更好。 |
公开日期 | 2017-07-18 |
申请日期 | 2015-06-24 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32291] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王文亭,刘建国,孙文惠,等. 基于双电吸收调制激光器实现单边带调制的系统. CN105007124B. 2017-07-18. |
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