| 掺钕钨酸锂镧钡激光晶体及其制备方法和用途 | |
| 王国富,赵 丹,林州斌,张莉珍. | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 王国富,赵 丹,林州斌,张莉珍. |
| 中文摘要 | 掺钕钨酸锂镧钡激光晶体及其制备方法和用途，涉及人工晶体领域。采用提拉法(Czochralski方法)生长，生长条件为：生长温度1410℃，晶体转速15～20转/分钟，拉速1.5～3毫米/小时。该晶体属于立方晶系，空间群为Fm3m，单胞参数为a＝8.059，Z＝4，单胞体积为V＝523.413。该晶体是一种新型的激光晶体，可产生1.06μm左右波长的激光输出，并有望获得实际应用。 |
| 公开日期 | 2012-11-12 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN101089242 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/5034]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王国富,赵 丹,林州斌,张莉珍.. 掺钕钨酸锂镧钡激光晶体及其制备方法和用途. |
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