| 掺铒七钼酸四钆锂激光晶体及其制备方法 | |
| 王国富,赵 旺,林州斌,张莉珍. | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 王国富,赵 旺,林州斌,张莉珍. |
| 中文摘要 | 掺铒七钼酸四钆锂激光晶体及其制备方法，涉及人工晶体领域。采用提拉法，生长温度1080℃，提升速度为0.5～2.0毫米/小时，晶体转速为10～30转/分钟。生长出了高光学质量、较大尺寸的Er3+∶Li2Gd4(MoO4)7晶体。该晶体属四方晶系，光谱分析表明，该晶体具有宽的吸收峰和强的荧光发射峰，适合于采用LD泵浦，可作为激光晶体，产生550nm和1500nm左右波长的激光输出。 |
| 公开日期 | 2012-11-12 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN101457402 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/4874]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王国富,赵 旺,林州斌,张莉珍.. 掺铒七钼酸四钆锂激光晶体及其制备方法. |
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