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碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法
陈玉标,陈 玲,吴立明.
专利国别中国
专利类型发明
权利人陈玉标,陈 玲,吴立明.
中文摘要本发明涉及一种碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法。本发明采用前驱体热解的工艺步骤,热解温度范围为400-750℃。本发明中,掺杂稀土离子部分取代La2O2CO3中的La离子,掺杂后碳酸氧化纳镧基纳米荧光粉体的通式可以表示为:(La1-xREx)2O2CO3,RE可选用Dy3+或Er3+或Nd3+或Ho3+或Yb3+或Tm3+或Tb3+或Eu3+或Sm3+或Pr3+中的一种,x表示掺杂离子的摩尔量,0≤x≤0.2。该纳米荧光粉体,颗粒细小,具有片状形貌,薄片厚度大部分在10-50nm范围内。本发明制备的碳酸氧化镧基纳米荧光粉体可应用于显示、照明、防伪、光电器件等方面及其相关领域中的用途。
公开日期2012-11-11
语种中文
专利申请号CN200810071336.1
内容类型专利
源URL[http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/4784]  
专题福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_专利
推荐引用方式
GB/T 7714
陈玉标,陈 玲,吴立明.. 碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法.
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