一种单层β相氢氧化镍二维纳米单晶片及其合成方法 | |
李广社,唐长林,李莉萍. | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 李广社,唐长林,李莉萍. |
中文摘要 | 本发明涉及纳米材料技术领域。该单晶片盐a-b平面生长,尺寸为近100nm,厚度为c-轴方向,大小约为1个晶胞长度。单晶片表面清洁,无须其它衬底生长且可以孤立稳定地存在。单层β-Ni(OH)2二维纳米单晶片采用水热方法制备。将可溶性镍盐溶于无水乙醇中,然后加入强碱溶液,搅拌并让混合溶液在80~200℃反应,冷却后洗涤并干燥。 |
公开日期 | 2012-11-11 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN200810071777.1 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/4738] |
专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李广社,唐长林,李莉萍.. 一种单层β相氢氧化镍二维纳米单晶片及其合成方法. |
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