| 一种提高掺铝ZnO透明导电薄膜AZO导电性和稳定性的方法 | |
| 黄丰,林璋,湛智兵. | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 黄丰,林璋,湛智兵. |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种提高掺铝ZnO透明导电薄膜AZO导电性和稳定性的方法。对于磁控溅射制备的不稳定AZO薄膜，采用Zn气氛退火的方法来改善薄膜的导电性和稳定性。将薄膜和金属Zn粒一起密封于真空容器中，加热到一定的温度并维持一定的时间，使Zn原子填入到薄膜的Zn空位处，从而同时提高薄膜迁移率和载流子浓度。经本方法处理过的AZO薄膜拥有1.5×10-4(Ωcm)的低电阻率，将其分别置于室温和100℃的空气中，在长达三个月的时间里，电阻率没有变化。本方法极大地提高了AZO薄膜的导电性和稳定性，对AZO薄膜的在实际中的广泛使用能产生重要的影响。 |
| 公开日期 | 2012-11-11 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200910112948.5 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/4498]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄丰,林璋,湛智兵.. 一种提高掺铝ZnO透明导电薄膜AZO导电性和稳定性的方法. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论