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直流等离子体增强热丝化学气相沉积法(DC-Plasma-Enhanced HF-CVD)制备金刚石-碳化硅复合薄膜的初步研究
王陶; 施维; 项礼; 姜辛
2009
会议名称第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会
会议日期2009-07-20
会议地点中国辽宁大连
关键词等离子体增强 四甲基硅烷 复合薄膜 硅源 中间层 扫描电子显微镜 拉曼光谱 显微分析 电子探针 EPMA
页码1
会议录第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会
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内容类型会议论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5286786
专题大连理工大学
作者单位1.大连理工大学 三束材料改性教育部重点实验室
2.大连理工大学 材料科学与工程学院
3.大连理工大学 化工学院
4.德国锡根大学 材料工程学院
推荐引用方式
GB/T 7714
王陶,施维,项礼,等. 直流等离子体增强热丝化学气相沉积法(DC-Plasma-Enhanced HF-CVD)制备金刚石-碳化硅复合薄膜的初步研究[C]. 见:第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会. 中国辽宁大连. 2009-07-20.
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