| 氧化铝薄膜的中频脉冲直流磁控溅射沉积和反应毒化现象分析 | |
| 牟宗信; 王振伟; 牟晓东; 刘升光 | |
| 2009 | |
| 会议名称 | 第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会 |
| 会议日期 | 2009-07-20 |
| 会议地点 | 中国辽宁大连 |
| 关键词 | 氧化铝 形貌 微观结构 折射率 |
| 页码 | 1 |
| 会议录 | 第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会
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| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5286777 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 大连理工大学三束材料改性实验室 物理与光电工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牟宗信,王振伟,牟晓东,等. 氧化铝薄膜的中频脉冲直流磁控溅射沉积和反应毒化现象分析[C]. 见:第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会. 中国辽宁大连. 2009-07-20. |
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