| 一种含In2S3纳米晶的硫卤玻璃陶瓷及其制备技术 | |
| 杨安平,陈大钦,余运龙,林航,王元生. | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 杨安平,陈大钦,余运龙,林航,王元生. |
| 中文摘要 | 本发明提出一种含In2S3纳米晶的硫卤玻璃陶瓷及其制备技术。该玻璃陶瓷的组分为GeS2：40-70mol%；In2S3：15-25mol%;CsI：5-35mol%，其中，In2S3与CsI的摩尔比大于1。该玻璃陶瓷的制备过程包括前驱玻璃的熔体急冷法制备和前驱玻璃的后续晶化处理两个步骤。本发明通过改变In2S3与CsI组分的摩尔比，可以制备出一系列含有单一In2S3纳米晶的硫卤玻璃陶瓷。该类纳米复合材料具有高的红外透过率和良好的热学与机械性能，可望开发为红外窗口材料和发光介质。 |
| 公开日期 | 2012-11-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201110347842.0 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/4073]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨安平,陈大钦,余运龙,林航,王元生.. 一种含In2S3纳米晶的硫卤玻璃陶瓷及其制备技术. |
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