氧化物薄膜生长用金属有机物化学气相沉积反应室 | |
丁凯,黄丰,林钟潮,黄顺乐,郑清洪,颜峰波. | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 丁凯,黄丰,林钟潮,黄顺乐,郑清洪,颜峰波. |
中文摘要 | 本发明公开一种氧化物薄膜生长用金属有机物化学气相沉积设备反应室。本反应室包括,反应室上法兰盘(1)、反应室下法兰盘(2)、反应室侧壁(3)、旋转轴(4)、电机(5)、磁流体密封轴承(6)、衬底托(7)、衬底加热器(8)、热电偶(9)、金属有机源进气口(10)、氧源进气口(11)、尾气排气口(12)、压力传感器(13)、下游压力控制阀(14)等部件。本发明的反应室实现反应气体从下往上垂直输运,能够有效抑制金属有机源与氧源的预反应对氧化物薄膜晶体质量的不利影响,有利于获得高质量的氧化物薄膜。 |
公开日期 | 2012-11-09 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN201110349622.1 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/4062] ![]() |
专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁凯,黄丰,林钟潮,黄顺乐,郑清洪,颜峰波.. 氧化物薄膜生长用金属有机物化学气相沉积反应室. |
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