| 一种AlGaN单晶制备方法 | |
| 曹永革,童浩,刘著光,邓种华,黄集权. | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 曹永革,童浩,刘著光,邓种华,黄集权. |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种AlGaN单晶的制备方法,本方法所需装置简单，利用金属Ga源和单晶AlN在防止氧化的情况下将Ga扩散进AlN单晶形成AlGaN.通过X射线衍射结果分析所制备的AlGaN单晶体具有高铝组分。所生长的AlGaN单晶有一定使用价值，该AlGaN单晶衬底可供AlGaN等III-N半导体材料薄膜同质外延之需。 |
| 公开日期 | 2012-11-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201110350936.3 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/4056]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹永革,童浩,刘著光,邓种华,黄集权.. 一种AlGaN单晶制备方法. |
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