| 单斜相Ga2S3晶体在光学上的应用 | |
| 张明建,郭国聪. | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 张明建,郭国聪. |
| 中文摘要 | 本发明提供一种单斜相Ga2S3晶体可作为红外波段二阶非线性晶体材料的应用。该晶体具有大的非线性光学系数，倍频信号约为KTP的0.7倍，且在1910?nm处相位匹配，在1064?nm下激光损伤阈值为174?MW/cm2，高于AGS和LiInS2，可作为良好的非线性光学晶体材料。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2012-11-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201210191288.6 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/335002/3901]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张明建,郭国聪.. 单斜相Ga2S3晶体在光学上的应用. |
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