| MOCVD生长ZnO基p-n结的电注入发光研究 | |
| 杜国同; 赵涧泽; 孙景昌; 李硕石; 李长鸣; 陈睿姝; 夏小川; 赵旺; 李香萍; 朱慧超 | |
| 2010 | |
| 会议名称 | 第十一届全国MOCVD学术会议论文集中国有色金属学会 |
| 会议日期 | 2010-01-13 |
| 会议地点 | 苏州 |
| 关键词 | 金属有机化学气相淀积 ZnO基p-n结 电注入发光 光电器件 |
| 页码 | 127 |
| 会议录 | 第十一届全国MOCVD学术会议论文集中国有色金属学会
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| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5273510 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 1.吉林大学集成光电子国家重点实验室,电子科学与工程学院,长春,13001大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,物理与光电工程学院,大连,116023 2.大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,物理与光电工程学院,大连,116023 3.吉林大学集成光电子国家重点实验室,电子科学与工程学院,长春,130012 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杜国同,赵涧泽,孙景昌,等. MOCVD生长ZnO基p-n结的电注入发光研究[C]. 见:第十一届全国MOCVD学术会议论文集中国有色金属学会. 苏州. 2010-01-13. |
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