CORC  > 大连理工大学
Pt/4H—SiC肖特基接触的氢等离子体改性研究
郑康伟; 黄玲琴; 江滢; 王德君
2010
会议名称第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
会议日期2010-10-25
会议地点西安
关键词Pt/4H-SiC接触 肖特基势垒 界面态密度 氢等离子体清洗
页码137-139
会议录第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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内容类型会议论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5272901
专题大连理工大学
作者单位大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院,辽宁 大连 116024
推荐引用方式
GB/T 7714
郑康伟,黄玲琴,江滢,等. Pt/4H—SiC肖特基接触的氢等离子体改性研究[C]. 见:第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 西安. 2010-10-25.
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