Pt/4H—SiC肖特基接触的氢等离子体改性研究 | |
郑康伟; 黄玲琴; 江滢; 王德君 | |
2010 | |
会议名称 | 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 |
会议日期 | 2010-10-25 |
会议地点 | 西安 |
关键词 | Pt/4H-SiC接触 肖特基势垒 界面态密度 氢等离子体清洗 |
页码 | 137-139 |
会议录 | 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5272901 |
专题 | 大连理工大学 |
作者单位 | 大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院,辽宁 大连 116024 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑康伟,黄玲琴,江滢,等. Pt/4H—SiC肖特基接触的氢等离子体改性研究[C]. 见:第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 西安. 2010-10-25. |
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