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	在立方MgO衬底上外延生长高质量的六方AlN薄膜
	Xiuwen Chen[1]; 陈秀文[2]; Caihong Jia[3]; 贾彩虹[4]; Hongtao Wang[5]; 王宏涛[6]; Weifeng Zhang[7]; 张伟风[8]
	2012
会议名称	第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议论文集中国电子学会
会议日期	2012-11-07
关键词	氮化铝薄膜 激光分子束 外延生长 立方氧化镁衬底 晶体质量
页码	268-268
URL标识	查看原文
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5254506
专题	河南大学
作者单位	[1]Key Laboratory of Photovoltaic Materials of Henan Province, School of Physics and electronic.s, Henan University,Kaifeng, 475004, China[2]河南大学 物理与电子学院 光伏材料省重点实验室,开封 475004[3]Key Laboratory of Photovoltaic Materials of Henan Province, School of Physics and electronic.s, Henan University,Kaifeng, 475004, China[4]河南大学 物理与电子学院 光伏材料省重点实验室,开封 475004[5]Key Laboratory of Photovoltaic Materials of Henan Province, School of Physics and electronic.s, Henan University,Kaifeng, 475004, China[6]河南大学 物理与电子学院 光伏材料省重点实验室,开封 475004[7]Key Laboratory of Photovoltaic Materials of Henan Province, School of Physics and electronic.s, Henan University,Kaifeng, 475004, China[8]河南大学 物理与电子学院 光伏材料省重点实验室,开封 475004
推荐引用方式 GB/T 7714	Xiuwen Chen[1],陈秀文[2],Caihong Jia[3],等. 在立方MgO衬底上外延生长高质量的六方AlN薄膜[C]. 见:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议论文集中国电子学会. 2012-11-07.

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