SiGe HBT与Si BJT的60Co射线总剂量辐照效应比较

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	SiGe HBT与Si BJT的60Co射线总剂量辐照效应比较
	牛振红; 郭旗; 任迪远; 刘月; 高嵩
刊名	固体电子学研究与进展
	2007
卷号	27 期号:3 页码:317-319,355
关键词	SiGe异质结双极晶体管电离辐射损伤机理
ISSN号	1000-3819
其他题名	comparison of the effects of total dose gamma irradiation on sige hbt and si bjt
中文摘要	研究了国产结构参数近似的SiGe HBT与Si BJT在60γ射线辐照前和不同剂量辐照后性能的变化,并作了比较.辐照后集电极电流Ic变化很小,基极电流Ib明显增大,表明辐照后电流增益的下降主要是由于Ib的退化所导致.当辐照剂量达到10 kGy(Si)时,SiGe HBT和Si BJT的最大电流增益分别下降为77%和55%,表明了SiGe HBT具有比Si BJT更好的抗γ射线辐照性能.对辐射损伤机理进行了探讨.
英文摘要	The total dose radiation effects on SiGe HBT and Si BJT were studied and then compared. It is shown that Ic changes slightly while Ib increases obviously with the increase of dose. Thus the degradation of β is dominated by the increasing Ib. The SiGe HBT maintained 77% of peak current gain after 10 kGy (Si), while Si BJT degraded to 55% of peak current gain. The results show that SiGe HBT has much better resistance to Gamma irradiation than Si BJT.
公开日期	2012-11-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1990]
专题	新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位	中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院
推荐引用方式 GB/T 7714	牛振红,郭旗,任迪远,等. SiGe HBT与Si BJT的60Co射线总剂量辐照效应比较[J]. 固体电子学研究与进展,2007,27(3):317-319,355.
APA	牛振红,郭旗,任迪远,刘月,&高嵩.(2007).SiGe HBT与Si BJT的60Co射线总剂量辐照效应比较.固体电子学研究与进展,27(3),317-319,355.
MLA	牛振红,et al."SiGe HBT与Si BJT的60Co射线总剂量辐照效应比较".固体电子学研究与进展 27.3(2007):317-319,355.