中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷

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	中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷
	席善斌; 陆妩; 王志宽; 任迪远; 周东; 文林; 孙静
刊名	物理学报
	2012
卷号	61 期号:7 页码:350-355
关键词	中带电压法栅控横向pnp双极晶体管电荷分离
ISSN号	1000-3290
其他题名	use the subthreshold-current technique to separate radiation induced defects in gate controlled lateral pnp bipolar transistors
中文摘要	设计并制作了一种新型双极测试结构,即在常规横向pnp双极晶体管基区表面氧化层上淀积一栅电极,通过扫描栅极所加电压,获得漏极(集电极)电流随栅极电压的变化特性,利用中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管在辐照过程中感生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷.本文对设计的晶体管测试结构和采用的测试方法做了具体介绍.
公开日期	2012-11-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1494]
专题	新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位	中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院研究生院；模拟集成电路国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	席善斌,陆妩,王志宽,等. 中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷[J]. 物理学报,2012,61(7):350-355.
APA	席善斌.,陆妩.,王志宽.,任迪远.,周东.,...&孙静.(2012).中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷.物理学报,61(7),350-355.
MLA	席善斌,et al."中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷".物理学报 61.7(2012):350-355.