中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷 | |
席善斌; 陆妩![]() | |
刊名 | 物理学报
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2012 | |
卷号 | 61期号:7页码:350-355 |
关键词 | 中带电压法 栅控 横向pnp双极晶体管 电荷分离 |
ISSN号 | 1000-3290 |
其他题名 | use the subthreshold-current technique to separate radiation induced defects in gate controlled lateral pnp bipolar transistors |
中文摘要 | 设计并制作了一种新型双极测试结构,即在常规横向pnp双极晶体管基区表面氧化层上淀积一栅电极,通过扫描栅极所加电压,获得漏极(集电极)电流随栅极电压的变化特性,利用中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管在辐照过程中感生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷.本文对设计的晶体管测试结构和采用的测试方法做了具体介绍. |
公开日期 | 2012-11-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1494] ![]() |
专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院;模拟集成电路国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 席善斌,陆妩,王志宽,等. 中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷[J]. 物理学报,2012,61(7):350-355. |
APA | 席善斌.,陆妩.,王志宽.,任迪远.,周东.,...&孙静.(2012).中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷.物理学报,61(7),350-355. |
MLA | 席善斌,et al."中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷".物理学报 61.7(2012):350-355. |
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