| 溅射压强对ATO透明导电薄膜性能的影响 | |
| 杨啸威[1]; 杨文豪[2]; 于仕辉[3]; 丁玲红[4]; 张伟风[5] | |
| 刊名 | 电子元件与材料
 |
| 2014 | |
| 卷号 | 33期号:1页码:9-11 |
| 关键词 | Sb-SnO2薄膜 磁控溅射 溅射压强 光学性能 电学性能 透明导电 |
| ISSN号 | 1001-2028 |
| DOI | http://dx.doi.org/10.3969/j.issn.1001-2028.2014.01.003 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | 中国科技核心期刊CSCD |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5235367 |
| 专题 | 河南大学 |
| 作者单位 | [1]河南大学物理与电子学院,河南开封,475004[2]河南大学物理与电子学院,河南开封,475004[3]河南大学物理与电子学院,河南开封,475004[4]河南大学物理与电子学院,河南开封,475004[5]河南大学物理与电子学院,河南开封,475004 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨啸威[1],杨文豪[2],于仕辉[3],等. 溅射压强对ATO透明导电薄膜性能的影响[J]. 电子元件与材料,2014,33(1):9-11. |
| APA | 杨啸威[1],杨文豪[2],于仕辉[3],丁玲红[4],&张伟风[5].(2014).溅射压强对ATO透明导电薄膜性能的影响.电子元件与材料,33(1),9-11. |
| MLA | 杨啸威[1],et al."溅射压强对ATO透明导电薄膜性能的影响".电子元件与材料 33.1(2014):9-11. |
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