| 纳米记忆元件推动电子科技实现重大突破 | |
| 于凌宇[1]; 刘夏飞[2] | |
| 刊名 | 中国电子科学研究院学报
 |
| 2016 | |
| 卷号 | 11期号:1页码:15-20 |
| 关键词 | 记忆元件 忆阻器 忆容器 忆感器 研发 突破 |
| ISSN号 | 1673-5692 |
| DOI | http://dx.doi.org/10.3969/j.issn.1673-5692.2016.01.003 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | 中文核心期刊要目总览 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5201939 |
| 专题 | 河南大学 |
| 作者单位 | [1]河南大学濮阳工学院,河南濮阳,457000[2]濮阳市人民防空办公室,河南濮阳,457000 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于凌宇[1],刘夏飞[2]. 纳米记忆元件推动电子科技实现重大突破[J]. 中国电子科学研究院学报,2016,11(1):15-20. |
| APA | 于凌宇[1],&刘夏飞[2].(2016).纳米记忆元件推动电子科技实现重大突破.中国电子科学研究院学报,11(1),15-20. |
| MLA | 于凌宇[1],et al."纳米记忆元件推动电子科技实现重大突破".中国电子科学研究院学报 11.1(2016):15-20. |
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