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	A simple method of extracting the polarization charge density in the A1GaN/GaN heterostructure from current-voltage and capacitance-voltage characteristics
	吕元杰[1]; 林兆军[1]; 于英霞[1]; 孟令国[1]; 曹芝芳[1]; 栾崇彪[1]; 王占国[2]
刊名	中国物理B：英文版
	2012
期号	09
关键词	电荷密度 异质结构 电压特性 极化 电流 电容 肖特基接触 提取
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5186929
专题	山东大学
作者单位	1.School of Physics, Shandong University, Jinan 250100, China. 2.Laboratory of Semiconductor Materials
推荐引用方式 GB/T 7714	吕元杰[1],林兆军[1],于英霞[1],et al. A simple method of extracting the polarization charge density in the A1GaN/GaN heterostructure from current-voltage and capacitance-voltage characteristics[J]. 中国物理B：英文版,2012(09).
APA	吕元杰[1].,林兆军[1].,于英霞[1].,孟令国[1].,曹芝芳[1].,...&王占国[2].(2012).A simple method of extracting the polarization charge density in the A1GaN/GaN heterostructure from current-voltage and capacitance-voltage characteristics.中国物理B：英文版(09).
MLA	吕元杰[1],et al."A simple method of extracting the polarization charge density in the A1GaN/GaN heterostructure from current-voltage and capacitance-voltage characteristics".中国物理B：英文版 .09(2012).

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