| 高介电栅介质材料HfO2掺杂后的物理电学特性 | |
| 武德起[1]; 姚金城[2]; 赵红生[3]; 张东炎[4]; 常爱民[5]; 李锋[6]; 周阳[7] | |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 2009 | |
| 卷号 | 15期号:1页码:71-74 |
| 关键词 | 高介电栅介质材料 激光分子束外延 二氧化铪 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| DOI | http://dx.doi.org/10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.012 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5114203 |
| 专题 | 河北大学 |
| 作者单位 | 1.中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011 2.中国科学院,北京半导体所,北京,100083 3.中科院研究生院,北京,100049 4.Xinjiang Technical Institute of Physics Chemistry, CAS, Xinjiang 830011, China 5.中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011 6.河北大学,物理科学与技术学院,保定071002 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武德起[1],姚金城[2],赵红生[3],等. 高介电栅介质材料HfO2掺杂后的物理电学特性[J]. 功能材料与器件学报,2009,15(1):71-74. |
| APA | 武德起[1].,姚金城[2].,赵红生[3].,张东炎[4].,常爱民[5].,...&周阳[7].(2009).高介电栅介质材料HfO2掺杂后的物理电学特性.功能材料与器件学报,15(1),71-74. |
| MLA | 武德起[1],et al."高介电栅介质材料HfO2掺杂后的物理电学特性".功能材料与器件学报 15.1(2009):71-74. |
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