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	Ce:KNSBN晶体写入光位置对两波耦合增益的影响
	郭庆林[1]; 李彦[2]; 李盼来[3]; 邓桂英[4]; 怀素芳[5]; 李旭[6]
刊名	人工晶体学报
	2010
卷号	39期号:6页码:1509-1513
关键词	光折变 写入光 耦合位置 Ce:KNSBN晶体 有效增益
ISSN号	1000-985X
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5105887
专题	河北大学
作者单位	[1]河北大学物理科学与技术学院[2]河北大学物理科学与技术学院[3]河北大学物理科学与技术学院[4]河北大学物理科学与技术学院[5]河北大学物理科学与技术学院[6]河北大学物理科学与技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	郭庆林[1],李彦[2],李盼来[3],等. Ce:KNSBN晶体写入光位置对两波耦合增益的影响[J]. 人工晶体学报,2010,39(6):1509-1513.
APA	郭庆林[1],李彦[2],李盼来[3],邓桂英[4],怀素芳[5],&李旭[6].(2010).Ce:KNSBN晶体写入光位置对两波耦合增益的影响.人工晶体学报,39(6),1509-1513.
MLA	郭庆林[1],et al."Ce:KNSBN晶体写入光位置对两波耦合增益的影响".人工晶体学报 39.6(2010):1509-1513.

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