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	a-SiN: H薄膜的对靶溅射沉积及微结构特性研究
	于威[1]; 孟令海[2]; 耿春玲[3]; 丁文革[4]; 武树杰[5]; 刘洪飞[6]; 傅广生[7]
刊名	科学通报
	2010
卷号	55期号:18页码:1799-1804
关键词	氢化非晶氮化硅 对靶磁控溅射 微观结构 键合特性
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5105854
专题	河北大学
作者单位	[1]河北大学物理科学与技术学院[2]河北大学物理科学与技术学院[3]河北大学物理科学与技术学院[4]河北大学物理科学与技术学院[5]河北大学物理科学与技术学院[6]河北大学物理科学与技术学院[7]河北大学物理科学与技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	于威[1],孟令海[2],耿春玲[3],等. a-SiN: H薄膜的对靶溅射沉积及微结构特性研究[J]. 科学通报,2010,55(18):1799-1804.
APA	于威[1].,孟令海[2].,耿春玲[3].,丁文革[4].,武树杰[5].,...&傅广生[7].(2010).a-SiN: H薄膜的对靶溅射沉积及微结构特性研究.科学通报,55(18),1799-1804.
MLA	于威[1],et al."a-SiN: H薄膜的对靶溅射沉积及微结构特性研究".科学通报 55.18(2010):1799-1804.

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