| 富硅氮化硅/c-Si异质结中的电流输运机理研究 | |
| 丁文革[1]; 桑云刚[2]; 于威[3]; 杨彦斌[4]; 滕晓云[5]; 傅广生[6] | |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 2012 | |
| 期号 | 24页码:484-489 |
| 关键词 | 对靶磁控溅射 富硅氮化硅 异质结 传输机理 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5087946 |
| 专题 | 河北大学 |
| 作者单位 | 1.河北大学物理科学与技术学院 2.河北省光电信息材料重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁文革[1],桑云刚[2],于威[3],等. 富硅氮化硅/c-Si异质结中的电流输运机理研究[J]. 物理学报,2012(24):484-489. |
| APA | 丁文革[1],桑云刚[2],于威[3],杨彦斌[4],滕晓云[5],&傅广生[6].(2012).富硅氮化硅/c-Si异质结中的电流输运机理研究.物理学报(24),484-489. |
| MLA | 丁文革[1],et al."富硅氮化硅/c-Si异质结中的电流输运机理研究".物理学报 .24(2012):484-489. |
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