阴极缓冲层PVP的插入对聚合物太阳能电池性能的影响 | |
杨少鹏[1]; 高江旭[2]; 孙学峰[3]; 赵晓辉[4]; 傅广生[5] | |
刊名 | 人工晶体学报
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2014 | |
卷号 | 43期号:9页码:2231-2235 |
关键词 | 聚乙烯吡络烷酮(PVP) P3HT PCBM 欧姆接触 光电性能 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5078171 |
专题 | 河北大学 |
作者单位 | 河北大学物理科学与技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨少鹏[1],高江旭[2],孙学峰[3],等. 阴极缓冲层PVP的插入对聚合物太阳能电池性能的影响[J]. 人工晶体学报,2014,43(9):2231-2235. |
APA | 杨少鹏[1],高江旭[2],孙学峰[3],赵晓辉[4],&傅广生[5].(2014).阴极缓冲层PVP的插入对聚合物太阳能电池性能的影响.人工晶体学报,43(9),2231-2235. |
MLA | 杨少鹏[1],et al."阴极缓冲层PVP的插入对聚合物太阳能电池性能的影响".人工晶体学报 43.9(2014):2231-2235. |
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