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	阴极缓冲层PVP的插入对聚合物太阳能电池性能的影响
	杨少鹏[1]; 高江旭[2]; 孙学峰[3]; 赵晓辉[4]; 傅广生[5]
刊名	人工晶体学报
	2014
卷号	43期号:9页码:2231-2235
关键词	聚乙烯吡络烷酮(PVP) P3HT PCBM 欧姆接触 光电性能
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5078171
专题	河北大学
作者单位	河北大学物理科学与技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	杨少鹏[1],高江旭[2],孙学峰[3],等. 阴极缓冲层PVP的插入对聚合物太阳能电池性能的影响[J]. 人工晶体学报,2014,43(9):2231-2235.
APA	杨少鹏[1],高江旭[2],孙学峰[3],赵晓辉[4],&傅广生[5].(2014).阴极缓冲层PVP的插入对聚合物太阳能电池性能的影响.人工晶体学报,43(9),2231-2235.
MLA	杨少鹏[1],et al."阴极缓冲层PVP的插入对聚合物太阳能电池性能的影响".人工晶体学报 43.9(2014):2231-2235.

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