| Ar等离子体刻蚀LPCVD法制备的ZnO:B薄膜的研究 | |
| 王新巧[1]; 陈静伟[2]; 梁晓杨[3]; 许颖[4]; 麦耀华[5] | |
| 2014 | |
| 会议名称 | 第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会论文集中国可再生能源学会;中国光伏行业协会;国家可再生能源中心 |
| 关键词 | ZnO∶B Ar等离子体 表面形貌 光电特性 |
| 页码 | 200-204 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5076062 |
| 专题 | 河北大学 |
| 作者单位 | [1]河北省光电信息材料重点实验室,河北大学物理科学与技术学院,保定 071002[2]河北省光电信息材料重点实验室,河北大学物理科学与技术学院,保定 071002[3]河北省光电信息材料重点实验室,河北大学物理科学与技术学院,保定 071002[4]河北省光电信息材料重点实验室,河北大学物理科学与技术学院,保定 071002[5]河北省光电信息材料重点实验室,河北大学物理科学与技术学院,保定 071002 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王新巧[1],陈静伟[2],梁晓杨[3],等. Ar等离子体刻蚀LPCVD法制备的ZnO:B薄膜的研究[C]. 见:第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会论文集中国可再生能源学会;中国光伏行业协会;国家可再生能源中心. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论