Fabrication of the slanted electrode matrix on tilting 4.5 degrees (111) silicon | |
Jia C. P. ; Dong W. ; Liu C. X. ; Zhou J. G. ; Zhang X. D. ; Sun D. M. ; Zang H. D. ; Xuan W. ; Xua B. K. ; Chen W. Y. | |
刊名 | Optik
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2008 | |
卷号 | 119期号:1页码:23-28 |
ISSN号 | 0030-4026 |
其他题名 | 论文其他题名 |
合作状况 | 合作性质 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2012-10-21 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24836] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Jia C. P.,Dong W.,Liu C. X.,et al. Fabrication of the slanted electrode matrix on tilting 4.5 degrees (111) silicon[J]. Optik,2008,119(1):23-28. |
APA | Jia C. P..,Dong W..,Liu C. X..,Zhou J. G..,Zhang X. D..,...&Chen W. Y..(2008).Fabrication of the slanted electrode matrix on tilting 4.5 degrees (111) silicon.Optik,119(1),23-28. |
MLA | Jia C. P.,et al."Fabrication of the slanted electrode matrix on tilting 4.5 degrees (111) silicon".Optik 119.1(2008):23-28. |
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