Fabrication of the slanted electrode matrix on tilting 4.5 degrees (111) silicon
Jia C. P. ; Dong W. ; Liu C. X. ; Zhou J. G. ; Zhang X. D. ; Sun D. M. ; Zang H. D. ; Xuan W. ; Xua B. K. ; Chen W. Y.
刊名Optik
2008
卷号119期号:1页码:23-28
ISSN号0030-4026
其他题名论文其他题名
合作状况合作性质
收录类别SCI
语种英语
公开日期2012-10-21
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24836]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
Jia C. P.,Dong W.,Liu C. X.,et al. Fabrication of the slanted electrode matrix on tilting 4.5 degrees (111) silicon[J]. Optik,2008,119(1):23-28.
APA Jia C. P..,Dong W..,Liu C. X..,Zhou J. G..,Zhang X. D..,...&Chen W. Y..(2008).Fabrication of the slanted electrode matrix on tilting 4.5 degrees (111) silicon.Optik,119(1),23-28.
MLA Jia C. P.,et al."Fabrication of the slanted electrode matrix on tilting 4.5 degrees (111) silicon".Optik 119.1(2008):23-28.
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