| IGBT器件的门极驱动模型及应用 | |
| 宁大龙; 同向前; 胡勋 | |
| 2012 | |
| 卷号 | 46页码:106-108 |
| 关键词 | 晶体管 门极驱动电路 数学模型 门极驱动功耗 |
| ISSN号 | 1000-100X |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5022323 |
| 专题 | 西安理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宁大龙,同向前,胡勋. IGBT器件的门极驱动模型及应用[J],2012,46:106-108. |
| APA | 宁大龙,同向前,&胡勋.(2012).IGBT器件的门极驱动模型及应用.,46,106-108. |
| MLA | 宁大龙,et al."IGBT器件的门极驱动模型及应用".46(2012):106-108. |
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