808nm边发射二极管激光器特征温度

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	808nm边发射二极管激光器特征温度
	秦莉 ; 李再金 ; 宁永强 ; 王超 ; 王立军
刊名	光学学报
	2010-05-01
卷号	30 期号:5 页码:1390-1395
ISSN号	0253-2240
中文摘要	研究了波导层材料为Al0.65Ga0.35As时的3种不同厚度(0.4,0.5和0.6μm)和3种不同的AlGaAs基大光学腔(Al0.65Ga0.35As-1μm,Al0.6Ga0.4As-1.5μm和Al0.45Ga0.55As-2μm)的808nm边发射二极管激光器的输出特性。理论计算模拟了不同结构器件的功率-电流特性(P-I)曲线,采用线性拟合的方法计算阈值电流,并计算了器件的特征温度。实验结果验证了理论计算结果。波导层厚度变化的研究说明,当单量子阱的厚度不变时,波导层越厚,器件的特征温度越高,器件的性能也就越好。大光学腔变化的研究表明,由于Al的组分x=0.45时会产生有效的垂直光斑尺寸和更低的电阻,使得2μm-LOC结构的器件性能最好。
收录类别	EI
公开日期	2012-09-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23552]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	秦莉,李再金,宁永强,等. 808nm边发射二极管激光器特征温度[J]. 光学学报,2010,30(5):1390-1395.
APA	秦莉,李再金,宁永强,王超,&王立军.(2010).808nm边发射二极管激光器特征温度.光学学报,30(5),1390-1395.
MLA	秦莉,et al."808nm边发射二极管激光器特征温度".光学学报 30.5(2010):1390-1395.