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	4°偏角4H-SiC单晶快速外延生长工艺研究
	毛开礼; 王英民; 李斌; 赵高扬
	2015
页码	191-193
关键词	同质外延 氯化氢 快速外延 Homoepitaxial HCl Fast growth rate
ISSN号	1001-3474
DOI	10.14176/j.issn.1001-3474.2015.04.002
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4991197
专题	西安理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	毛开礼,王英民,李斌,等. 4°偏角4H-SiC单晶快速外延生长工艺研究[J],2015:191-193.
APA	毛开礼,王英民,李斌,&赵高扬.(2015).4°偏角4H-SiC单晶快速外延生长工艺研究.,191-193.
MLA	毛开礼,et al."4°偏角4H-SiC单晶快速外延生长工艺研究".(2015):191-193.

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