| SiC厚膜快速外延生长刻蚀工艺研究 | |
| 毛开礼; 王英民; 李斌; 赵高扬 | |
| 2015 | |
| 会议名称 | 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 论文集中国电子学会 |
| 会议日期 | 2015-10-30 |
| 会议地点 | 苏州 |
| 关键词 | 同质外延 氯化氢 快速外延 刻蚀工艺 |
| 页码 | 44-45 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4990945 |
| 专题 | 西安理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毛开礼,王英民,李斌,等. SiC厚膜快速外延生长刻蚀工艺研究[C]. 见:第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 论文集中国电子学会. 苏州. 2015-10-30. |
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