平面微电机定子线圈制作工艺研究 | |
吴一辉 ; 王淑荣 | |
刊名 | 微细加工技术
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2006-09-30 | |
卷号 | 3期号:3页码:27 |
ISSN号 | 1003-8213 |
中文摘要 | 为了在平面微电机有限大尺寸的定子上制作高深宽比结构的绕组线圈,对高深宽比微结构的制作工艺进行了研究,综合比较各方面因素,从中找出了成品率高、可重复性好、工艺步骤尽量简单的平面线圈制作工艺,即在硅沟槽里通过微电铸得到高深宽比平面铜线圈的深刻蚀成型电铸工艺,并分析了光刻工艺关键参数之间的关系及对后续工艺的影响。通过该工艺制作的直径为10mm的定子线圈深宽比大(宽40μm、深80μm),无空洞,并且在工艺上还有很大的深宽比挖掘潜力。该工艺亦可应用于其他需要高深宽比平面线圈的微执行器的制作中。 |
收录类别 | EI |
公开日期 | 2012-09-25 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/22975] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴一辉,王淑荣. 平面微电机定子线圈制作工艺研究[J]. 微细加工技术,2006,3(3):27. |
APA | 吴一辉,&王淑荣.(2006).平面微电机定子线圈制作工艺研究.微细加工技术,3(3),27. |
MLA | 吴一辉,et al."平面微电机定子线圈制作工艺研究".微细加工技术 3.3(2006):27. |
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