热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性

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	热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性
	蒋红 ; 宋航
刊名	液晶与显示
	2009-02-02
卷号	1 期号:24 页码:43
ISSN号	1007-2780
中文摘要	采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征。研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化处理的碳纳米管薄膜样品的场发射特性进行了比较。当发射电流密度达到10μA/cm2时,无图形化处理的碳纳米管薄膜、10μm碳纳米管线阵列以及2μm碳纳米管线阵列样品的开启电场分别为3V/μm、2.1V/μm和1.7V/μm;而当电场强度达3.67V/μm时,相应的电流密度分别为2.57mA/cm2、4.65mA/cm2和7.87mA/cm2。实验结果表明,图形化处理后的碳纳米管作为场发射体,其场发射特性得到了明显的改善。对改善的原因进行了分析和讨论。
公开日期	2012-09-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/22888]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	蒋红,宋航. 热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性[J]. 液晶与显示,2009,1(24):43.
APA	蒋红,&宋航.(2009).热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性.液晶与显示,1(24),43.
MLA	蒋红,et al."热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性".液晶与显示 1.24(2009):43.