单晶6H_SiC纳米线的可控掺杂及光学特性

	单晶6H_SiC纳米线的可控掺杂及光学特性
	范翊
刊名	液晶与显示
	2009-12-03
卷号	6 期号:24 页码:804
ISSN号	1007-2780
中文摘要	采用有机前驱体制备纳米材料工艺,制备出不同Al掺杂浓度的6H-SiC纳米线(Al/6H-SiC)。用HRTEM、EDX、XRD等对纳米线进行了表征,发现随着起始材料中异丙醇铝含量的增加,所制备的纳米线中的Al浓度也在增加,最高可达到1.25%,HRTEM显示晶格间距为0.26nm和0.25nm,对应为6H-SiC的(101)和(102)面间距,Si、C原子比为1:1。拉曼光谱得到这种6H-SiC的声子能量为100meV,由吸收光谱带边吸收外推计算得到Al/6H-SiC纳米线光学带隙,掺杂浓度越大,吸收边红移越大。
公开日期	2012-09-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/22884]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	范翊. 单晶6H_SiC纳米线的可控掺杂及光学特性[J]. 液晶与显示,2009,6(24):804.
APA	范翊.(2009).单晶6H_SiC纳米线的可控掺杂及光学特性.液晶与显示,6(24),804.
MLA	范翊."单晶6H_SiC纳米线的可控掺杂及光学特性".液晶与显示 6.24(2009):804.