| 质子辐照对场板AlGaN／GaN HEMT器件电特性的影响 | |
| 谷文萍; 张林; 杨鑫; 全思; 徐小波; 杨丽媛; 刘盼芝 | |
| 2016 | |
| 卷号 | 44页码:1445-1449 |
| 关键词 | AlGaN/GaNHEMT 质子辐照 辐射感生受主缺陷 辐射加固 AlGaN/GaN HEMT proton-irradiation irradiation induced acceptor defects radiation hardness |
| ISSN号 | 0372-2112 |
| DOI | 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.06.027 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4985189 |
| 专题 | 西安理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谷文萍,张林,杨鑫,等. 质子辐照对场板AlGaN／GaN HEMT器件电特性的影响[J],2016,44:1445-1449. |
| APA | 谷文萍.,张林.,杨鑫.,全思.,徐小波.,...&刘盼芝.(2016).质子辐照对场板AlGaN／GaN HEMT器件电特性的影响.,44,1445-1449. |
| MLA | 谷文萍,et al."质子辐照对场板AlGaN／GaN HEMT器件电特性的影响".44(2016):1445-1449. |
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