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	Tunnel Field-Effect Transistor With an L-Shaped Gate
	Yang, Zhaonian
	2016
卷号	37页码:839-842
关键词	Band-to-band tunneling (BTBT) L-shaped gate tunnel field-effect transistor (TFET) tunneling junction
ISSN号	0741-3106
DOI	10.1109/LED.2016.2574821
URL标识	查看原文
WOS记录号	WOS:000379940600005
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4985077
专题	西安理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Yang, Zhaonian. Tunnel Field-Effect Transistor With an L-Shaped Gate[J],2016,37:839-842.
APA	Yang, Zhaonian.(2016).Tunnel Field-Effect Transistor With an L-Shaped Gate.,37,839-842.
MLA	Yang, Zhaonian."Tunnel Field-Effect Transistor With an L-Shaped Gate".37(2016):839-842.

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