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	SiC厚膜快速外延生长刻蚀工艺研究?
	毛开礼; 王英民; 李斌; 赵高扬
	2017
卷号	48页码:1139-1143
关键词	同质外延 氯化氢 快速外延 刻蚀工艺
ISSN号	1001-9731
DOI	10.3969/j.issn.1001-9731.2017.01.024
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4978629
专题	西安理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	毛开礼,王英民,李斌,等. SiC厚膜快速外延生长刻蚀工艺研究?[J],2017,48:1139-1143.
APA	毛开礼,王英民,李斌,&赵高扬.(2017).SiC厚膜快速外延生长刻蚀工艺研究?.,48,1139-1143.
MLA	毛开礼,et al."SiC厚膜快速外延生长刻蚀工艺研究?".48(2017):1139-1143.

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