高阻ITO基板上电化学沉积ZnO薄膜的研究

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	高阻ITO基板上电化学沉积ZnO薄膜的研究
	侯旭峰 ; 荆海 ; 谷长栋 ; 张会平
刊名	液晶与显示
	2007-02-28
期号	1
关键词	ZnO薄膜电化学沉积 ITO基板禁带宽度
ISSN号	1007-2780
中文摘要	利用电化学沉积法,以65±1℃的0.1mol/LZn(NO3)2水溶液作为电解质溶液,在方块电阻为118Ω/□的氧化铟锡(ITO)玻璃基板上制备了ZnO薄膜。利用扫描电镜观察了ZnO薄膜表面形貌,结果表明随着电极电势的降低或沉积时间的增加,ZnO薄膜表面颗粒的六方形结构逐渐明显。利用X射线衍射技术分析了阴极电势和沉积时间对ZnO薄膜择优取向的影响,结果表明ZnO薄膜的(002)择优取向是随电极电势的下降而逐渐减弱的,而且随沉积时间的增加(002)择优取向也逐渐减弱。透射光谱测量表明,实验所获得的ZnO薄膜在可见光范围内是透光的,平均透过率高达80%～90%,不同阴极电势下的禁带宽度均为3.5eV左右,且在阴极电势为-2.5V时,禁带宽度随沉积时间的增加而逐渐减小。
公开日期	2012-09-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21234]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	侯旭峰,荆海,谷长栋,等. 高阻ITO基板上电化学沉积ZnO薄膜的研究[J]. 液晶与显示,2007(1).
APA	侯旭峰,荆海,谷长栋,&张会平.(2007).高阻ITO基板上电化学沉积ZnO薄膜的研究.液晶与显示(1).
MLA	侯旭峰,et al."高阻ITO基板上电化学沉积ZnO薄膜的研究".液晶与显示 .1(2007).