TiO2 颗粒在羟基表面的沉积行为及图案化

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	TiO2 颗粒在羟基表面的沉积行为及图案化
	薛群基
刊名	无机化学学报
	2011
卷号	27 期号:1 页码:135-140
关键词	图案化光照电子空穴迁移率 patterned irradiation electron hole mobility
ISSN号	1001-4861
通讯作者	梁山
中文摘要	比较了3种具有羟基表面SiO2 层的差异：紫外光照 SAMs 形成的羟基表面,紫外光照射前照射后的羟基表面；用光照前后表面的差异，结合化学浴沉积技术在单晶硅基底上制得了TiO2 微图案薄膜系统考察了光源硅片表面性质的变化溶液等方面对图案生成的影响实验表明 TiO2 沉积在未照区，电子和空穴动力学上的差异造成光照区表面正电荷增多，抑制了TiO2 的沉积该方法不需要光刻胶和自组装膜作为辅助模板，具有简单廉价的特点。
学科主题	材料科学与物理化学
收录类别	CSCD
资助信息	教育部留学回国人员科研启动基金;天津科技大学引进人才科研启动基金(No.20080433)资助项目
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:4116505
公开日期	2012-09-24
内容类型	期刊论文
源URL	[http://210.77.64.217/handle/362003/931]
专题	兰州化学物理研究所_固体润滑国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	薛群基. TiO2 颗粒在羟基表面的沉积行为及图案化[J]. 无机化学学报,2011,27(1):135-140.
APA	薛群基.(2011).TiO2 颗粒在羟基表面的沉积行为及图案化.无机化学学报,27(1),135-140.
MLA	薛群基."TiO2 颗粒在羟基表面的沉积行为及图案化".无机化学学报 27.1(2011):135-140.