| 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法; 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法; 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法; 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法 | |
| 毛雪 ; 韩培德 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器,包括：一硅或SOI衬底；一第一掺杂层,制作在硅或SOI衬底上；一第二掺杂层,制作在第一掺杂层上；一迎光面介质钝化层,制作在第二掺杂层上；一第一金属电极,为E字形结构,该第一金属电极制作在第二掺杂层上；一第二金属电极,为E字形结构,该第二金属电极制作在第一掺杂层上。 |
| 公开日期 | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201110384199.9 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23410]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毛雪,韩培德. 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法, 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法, 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法, 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法. |
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