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	具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法; 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法; 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法; 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法
	李璟 ; 王国宏 ; 魏同波 ; 张杨 ; 孔庆峰
专利国别	中国
专利号	CN102157640A
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	一种具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法,包括：采用金属有机化学气相沉积的方法,在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层,形成GaN外延片；将GaN外延片放入蒸发台,在P-GaN层的表面蒸镀CsCl或氯化物；蒸镀结束后,向蒸发台腔室中充入水汽,控制相对湿度使P-GaN层表面的CsCl或氯化物吸收水分逐渐长大形成CsCl或氯化物的纳米岛；将CsCl或氯化物纳米岛作为刻蚀掩膜,对GaN外延片进行刻蚀,形成表面粗化的GaN外延片；再将GaN外延片的一侧进行刻蚀,形成台面；在GaN外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜；在GaN外延片的上表面制作P电极,在台面上制作N电极,完成器件制备。
公开日期	2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
语种	中文
专利申请号	CN201110064300.2
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23517]
专题	半导体研究所_中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	李璟,王国宏,魏同波,等. 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法, 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法, 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法, 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法. CN102157640A.

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