Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法; Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法; Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法; Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法 | |
赵婧 ; 刘喆 ; 王军喜 ; 李晋闽 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN102351229A |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
中文摘要 | 一种Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1:将Ca(C2H3O2)2·4H2O和Co(C2H3O2)2·4H2O按比例充分混合并溶解于去离子水中,形成混合液;步骤2:将NaOH溶液缓慢滴入该混合液中,与混合液发生反应,形成沉淀产物;步骤3:从反应后的混合液中过滤出沉淀产物,将该沉淀产物用去离子水多次清洗;步骤4:将清洗后沉淀产物在干燥箱中烘干后进行研磨,得到前驱体粉末;步骤5:将前驱体粉末置于石英舟中,放入管式反应炉的中部,前驱体粉末在Ar气氛下煅烧分解,得到白色的纳米粉末,完成Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备。 |
公开日期 | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN201110185320.5 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23504] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵婧,刘喆,王军喜,等. Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法, Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法, Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法, Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法. CN102351229A. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论