Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法; Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法; Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法; Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 | |
赵婧 ; 刘喆 ; 王军喜 ; 李晋闽 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN102351236A |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
中文摘要 | 一种Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1:将CuSO4和FeSO4分别按比例混合后,再与过量的NaOH充分混合,形成混合物;步骤2:将混合物在玛瑙研钵中进行研磨,使混合物充分接触并发生化学反应,不断研磨直至反应体系的颜色完全转变为黑色,固相反应不再进行,形成反应产物;步骤3:将得到的反应产物用去离子水多次清洗,过滤出不溶于水的反应产物;步骤4:将过滤出的不溶于水的反应产物在干燥箱中烘干后研磨,得到前驱体粉末;步骤5:将前驱体粉末置于石英舟中,放入管式反应炉的中部,在Ar气氛下退火,得到黑色的纳米粉末,完成Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备。 |
公开日期 | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN201110185833.6 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23503] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵婧,刘喆,王军喜,等. Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法, Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法, Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法, Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法. CN102351236A. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论