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	Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法; Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法; Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法; Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法
	赵婧 ; 刘喆 ; 王军喜 ; 李晋闽
专利国别	中国
专利号	CN102351236A
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	一种Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备方法,包括如下步骤：步骤1：将CuSO4和FeSO4分别按比例混合后,再与过量的NaOH充分混合,形成混合物；步骤2：将混合物在玛瑙研钵中进行研磨,使混合物充分接触并发生化学反应,不断研磨直至反应体系的颜色完全转变为黑色,固相反应不再进行,形成反应产物；步骤3：将得到的反应产物用去离子水多次清洗,过滤出不溶于水的反应产物；步骤4：将过滤出的不溶于水的反应产物在干燥箱中烘干后研磨,得到前驱体粉末；步骤5：将前驱体粉末置于石英舟中,放入管式反应炉的中部,在Ar气氛下退火,得到黑色的纳米粉末,完成Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备。
公开日期	2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
语种	中文
专利申请号	CN201110185833.6
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23503]
专题	半导体研究所_中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	赵婧,刘喆,王军喜,等. Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法, Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法, Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法, Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法. CN102351236A.

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