题名 | 氮化镓材料的气相传输合成及稀土掺杂研究 |
作者 | 韩佰翔
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学位类别 | 硕士
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答辩日期 | 2012-05
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授予单位 | 中国科学院研究生院
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授予地点 | 北京
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导师 | 曾雄辉
; 徐科
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关键词 | GaN 粉体 稀土掺杂 形貌 结构 发光
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学位专业 | 微电子与固体电子学
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中文摘要 | GaN材料的生长与应用是目前光电子、微电子领域研究的前沿和热点。最近几年,世界各国政府有关机构、相关企业、以及风险投资公司纷纷加大了对GaN基半导体材料及其器件的研发投入和支持。进一步深入研究GaN材料的生长特点,发展新的GaN材料制备方法,通过掺杂调控GaN的光学和电学性能,也逐步受到人们的关注。本文采用气相法和液相法研究了GaN材料的生长习性以及稀土掺杂的动力学,为进一步深入开展稀磁半导体、GaN发光的稀土能级调控奠定基础。 主要内容如下: 一、比较分析了Ga金属氮化法和硝酸镓分解氮化法合成的GaN粉体。前者是一个非平衡动力学的过程,GaN晶体的六方结构、生长动力学及其质量传输机制决定了其结晶习性。后者是一个两步反应的过程,是由Ga2O3分解生成的气态Ga2O和氨气分解生成的NH、NH2等反应生成的。 二、发现Ga金属氮化法合成的GaN粉体为六方GaN相,呈现出六边形的晶体学特征,晶粒尺寸在2μm左右。XRD、SEM、TEM的分析结果均证实了GaN的显露面为具有最低表面能的(0002)晶面。O/N比很低,接近于HVPE生长的体GaN,室温下表现出强的带边发光,无黄光峰,具备优秀的发光性能。 三、发现硝酸镓分解氮化法合成的GaN粉体为六方GaN相,颗粒尺寸为几十个纳米,形貌无规则,有很好的分布均匀性。氧含量较高,结晶性一般,室温下出现GaN带边峰,无黄光峰,但发光强度不高,发光性能受限。 四、采用溶液化学方法制备了GaN:Er粉体材料。该粉体为六方GaN相,形貌无规则,尺寸分布均匀。退火处理后,粉体从几十个纳米长大至几百个纳米,且氧含量降低,结晶质量变好。退火前样品表现出GaN带边发光及蓝光峰,退火处理后出现了Er离子相关的三个峰位,表现出强的绿光发射。 五、采用溶液化学方法制备了GaN:Er,Yb粉体材料。该粉体为六方GaN相呈现细小的菱片状形貌,颗粒平均在300nm左右,粒径分布比较均匀,但氧含量较高,结晶质量一般。样品的阴极荧光光谱中出现了Er离子相关的三个峰位,表现出强的红光发射。在980nm波长激光激发下观察到了清晰可见的红绿上转换荧光,说明Er3+-Yb3+共掺杂体系在GaN基质中实现了上转换荧光输出。 六、通过对比GaN:Er粉体和GaN:Er,Yb粉体材料,结合稀土元素的发光特点,我们发现对于Er掺杂GaN体系,适当的条件下可以优选出某个波段强的、尖锐的跃迁发光,这对于稀土发光基础理论的研究及其应用均有着重要的意义。 |
语种 | 中文
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公开日期 | 2012-09-11
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内容类型 | 学位论文
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源URL | [http://58.210.77.100/handle/332007/708] |
专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_测试分析平台
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
韩佰翔. 氮化镓材料的气相传输合成及稀土掺杂研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2012.
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