| 高压LDMOS击穿电压退化机理研究 | |
| 金锋; 徐向明; 宁开明; 钱文生; 王惠惠; 邓彤; 王鹏飞; 张卫 | |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 2015 | |
| 卷号 | 35期号:4 |
| 关键词 | 高压横向扩散金属氧化物半导体 击穿电压退化 栅致漏极漏电 可靠性 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4867745 |
| 专题 | 复旦大学上海医学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金锋,徐向明,宁开明,等. 高压LDMOS击穿电压退化机理研究[J]. 固体电子学研究与进展,2015,35(4). |
| APA | 金锋.,徐向明.,宁开明.,钱文生.,王惠惠.,...&张卫.(2015).高压LDMOS击穿电压退化机理研究.固体电子学研究与进展,35(4). |
| MLA | 金锋,et al."高压LDMOS击穿电压退化机理研究".固体电子学研究与进展 35.4(2015). |
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